SJ 50033.25-1994 半导体分立器件2CW1001～2CW1005型硅电压调整二极管详细规范
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0.41 |
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10 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/25—94,半导体分立器件,2CW1001 .2CW1005、,2CW1006.2CW1015 型,硅电压调整二极管详细规范,1994-09-30 发布1994-12^01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件2CW1001-2CW1005型,硅电压调整二极管详细规范 SJ 50033/25-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2CW1001 ~2CW 1005,silicon voltage-regulator diode,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 2CW1001-2CW1005型硅电压调整二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类.,1-3.1器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超特,军三及,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用标准,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基推电压ニ极管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1详细要求,各项要求应按GJB 33和本规藩的规定,3-2设计,结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1引出端涂层,引出端表面应镀锡。在不影响器件性能和标志的情况下,对引出端涂层另有要求时,可在,合同或订货单中规定（见6. 3条ハ,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994rl2-01实施,sj 50033/25-94,3.2-2器件结构,在硅芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。这种器件为玻璃封接非空腔结构,3.2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中D2-1OA型,见图し,mm,-4^ D2一。2A,—符号,、ごザ,mi ロ1 max,钟2 0.45 Q.56,甲D L 50 - 2.20,G 3. 50 5. 40,L,ル,25. 40,-J__,2.50,ム10.0 1,注,1)厶为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度.,图!外形图,3.3最大额定值和主要电特性,3. 3.1最大额定值,型 号,(mW) (mA),兀P,re) cr),2CW1001—1005 400 64 一 55 .+ 150 一 55 .+ 175,注:1)当冗［11b>5OC,按时4mW/C的速率线性降颤,见图2.,3. 3-2主要电特性(?}b=25C),__ 乙0,下载,Sj 50033/25-94,般 号,Vz,2=レ7,(V),我エエ,ルh Lt,⑺,Zk = 3* 5V,7；fflt=25'C,(pA) (%/V),2CW1001 0.01,3CW1002 〇,〇。s,2CW10Q3 6.2±5% 20 50 0, 002,2CW1004 0,001,2CW1005 0. 0005,3.4电测试要求,电测试应符合GB 6571及本规范的规定.,3-5标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定.型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志:,a.制造厂的识别;,b.检验批帜别代码;,e.型号命名中的2c部分,3,51极性标志,器件的负极端应用鲜明的色带标志,以示出器件的极性,4质量保证规定,4J抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,够选应按GJB 33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1,极限值的器件应予以剔除,筛选(GJB 33表2) 测试或试验,3热冲击（温度循环） 除低温为ー55ヒ、循环10次外,其余同试验条件F,4恒定加速度不要求,5密封不要求,6高温反偏不要求,7中间测试,8 .电老化见4. 3.1条,9最后测试,4& =初始值的±20%,△% =初始值的±2. 5%,4. 3,1电老化条件,按GJB 128的1038方法试验条件B进行,—3 —,sj 50033/25-94,7z = 64niA,z-96h,Timi, = 25±5 >CO,安装条件,离管体10mm处安装夹具固定二极管引线使其悬空,4-3-2示波器显示检验,伏安特性的反向击穿区应在适应的伏安特性范围内（VR43.5Vr利用一个示波器进行观,案,示波器的显示幅值应在水平和垂直两个方向上至少有5cm。在曲线弯曲起点处的电流应小,于6/A,剔出伏安特性曲线轨迹中有明显的折线、双曲线、不连接曲线和曲线抖动的器件,4"质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33和本规范的规定,4- 4-1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定逬行,4.412 B组检験,B组检験应按GJB 33和本规范表2的规定进行.最后测试和参数变化量（㈤的要求应按,本规范表4的相应步骤的规定进行.,4-4-3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和参数变化量（ム）的要求应按,本规范表4的相应步骤的规定进行,4.5检验和试験方法,检験和试险方法应按本规范相应的表和下列规定,ム5-1浪涌电流空m）,应在二极瞥反向施加970mA的峰值电流,并且这些峰值电流应与电流Jな。,5mA）迭加,釆用方波……
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